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福利彩票河南快3开奖,ARM牵手GF格芯:成功流片12nm高性能3D芯片
2019-08-09 21:13:03  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南   点击可以复制本篇文章的标题和链接

3D闪存已然成为SSD产品线中的主要技术流派,现在看来,ARM芯片也要朝这个方向发展。

福利彩票河南快3开奖GlobalFoundries (GF,格芯)本周宣布,成功基于自家的12nm FinFET工艺(12LP)流片了高性能的ARM 3D芯片。

格芯称,此次突破意味着能效更优秀的高密度移动芯片、无线芯片、AI/ML解决方案成为可能。

3D芯片说白了相当于盖楼,它不仅可以减少芯片面积,还能提高内部的互联速度,减少延迟。福利彩票河南快3开奖去年,Intel首次对外公开了自家的Fevoros 3D堆叠芯片技术,AMD更是从率先应用HBM显存开始就表现出对2.5D/3D封装的浓厚兴趣。

虽然格芯遗憾退出了7nm节点,但12nm相当成熟稳定,也许对于做3D芯片可以减少很多未知问题。

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